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MOS管,即MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管。 它具有高输入阻抗(可达1012Ω以上),制造工艺简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。12
MOS管的工作原理是通过控制栅极电压来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流。具体来说,当在栅极和源极之间施加电压时,会在半导体表面形成电场,进而控制导电沟道的开启和关闭。
根据沟道类型,MOS管可以分为N沟道和P沟道两种类型。N沟道MOS管在P型半导体上工作,而P沟道MOS管在N型半导体上工作。这两种类型的MOS管在电路设计中有不同的应用场景。
MOS管,全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管。它是一种基于金属-氧化物-半导体结构的场效应晶体管,主要由金属栅极、氧化物绝缘层(通常是二氧化硅SiO₂)和半导体层(通常是硅Si)组成。MOS管通过控制栅极电压来改变半导体表面或内部的电场,从而控制源极和漏极之间的电流。它具有优异的开关性能、高频特性和低功耗优势,因此在集成电路、通信系统、计算机硬件以及消费电子等领域得到了广泛应用。MOS管的工作原理基于半导体材料中载流子的输运和场效应,是现代电子设备中不可或缺的组成部分。